La influencia de impurezas en diferentes compuestos y la pregunta a cerca de las contribuciones de diferentes mecanismos de dispersión han sido siempre de gran interés. Usualmente, el comportamiento anómalo de la resistividad se ha tratado desde el modelo de Mott o sobre la base del modelo de espín desordenado. Las contribuciones de los diferentes mecanismos de dispersión frecuentemente se describen por la regla de Matthiessen, dónde la resistividad del material está compuesta por la suma de las contribuciones de impurezas, phonones y componente magnéticos. Sin embargo, la dispersión de electrones es un proceso complejo y un mecanismo que puede afectar a las otras tal que sus contribuciones no son aditivas En este trabajo hemos preparado y caracterizado eléctricamente el sistema de la fase Bi-2223 dopado con Ytrio, Bi2Sr1.4(Pb)0.6Ca2-xYxCu3O10+ y crecido en película gruesa sobre substratos de MgO por medio de la técnica de fundición, templado, recocido (FTR). Las medidas de transporte eléctrico R-T muestran un comportamiento superconductor para valores de x < 1.0, este comportamiento superconductor no se ve drásticamente afectado cuando el valor de la concentración varía de x = 0.025 a 0.8 y muestran una transición metal-aislante para valores x = 1.2 y 1.5 con una anomalía (vientre) que se asocia con una fase superconductora alrededor de los 100 K. para valores de x = 1.8 y 2.0 el sistema presenta un comportamiento tipo-semiconductor.